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本标 准 规 定了根据堆垛层错尺寸测量硅处延层厚度的方法本标 准 适 用于在<111>,tloo>和(110)晶向的硅单晶衬底仁生长的硅外延层厚度的测缝外延 层 中 应存在着发育完整的堆垛层错，其大小可用干涉相衬显微镜r:接观察(非破坏性的)，或经化学腐蚀后用金相显微镜观察(破坏性的)。测量范围为2^75 um.
本部分规定了电子电气产品中汞的氢化物发生原子荧光光谱测定方法。本部分适用于电子电气产品中汞的测定。
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